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次世代半導体エッチングガス

「CEG®」とは、「Central Glassが提案する革新的な半導体用プロセスガス」の総称です。
CEG® Seriesでは、既存ガスと比較して環境負荷が少なく、3Dデバイス及び最先端材料に適した各種プロセスガスを多数製品化しております。

CEG®︎ClF3

これまでクリーニングガスに用いられてきたClF₃を、 エッチングガス向けに高純度にカスタマイズした製品です。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 最先端デバイス用エッチング

CEG®︎34E

既存エッチングガス(CF、CF等)と比較し、アモルファスカーボンなどのマスク材に対して、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を高選択にエッチング可能です。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 3D-NAND用SiO₂/SiN積層膜エッチング
  • SiO₂, SiN膜の深堀エッチング
  • SiN犠牲層エッチング

CEG®︎16N

エッチング時に添加ガスとして使用することで、既存エッチングガス(CF、CF等)と比較し、アモルファスカーボンなどのマスク材に対するシリコン酸化膜の選択性を大きく向上できます。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 3D-NAND用SiO₂/SiN積層膜エッチング
  • SiO₂膜の深堀エッチング

CEG®︎31Y

アモルファスカーボンなどのマスク材に対して、シリコン酸化膜を高選択にエッチング可能です。また、エッチング時に添加ガスして使用することで、マスク材のモフォロジーを改善することが可能です。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • SiO₂膜の深堀エッチング
  • エッチング時のマスク材のモフォロジー改善

CEG®︎IF7

シリコン酸化膜や、シリコン窒化膜に対し、シリコン膜を高選択でエッチング可能です。

純度 99.95%以上

この製品の使用例

  • ダミーゲートPoly-Si除去
  • Siハードマスク除去
  • Si犠牲層エッチング

超高純度無水弗酸 (HF)

これまでクリーニングガスに用いられてきた高純度無水弗酸(HF)を、エッチングガス向けに高純度にカスタマイズした製品です。

20%F2/ Ar

次世代の環境配慮型エッチングガスです。既存のNF3やCF系のガスと比較し環境負荷を抑えることが可能です。

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