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次世代半導体エッチングガス

「CEG®」とは、「Central Glassが提案する革新的な半導体用プロセスガス」の総称です。
CEG® Seriesでは、既存ガスと比較して環境負荷が少なく、3Dデバイス及び最先端材料に適した各種プロセスガスを多数製品化しております。

CEG®︎ 34E

既存エッチングガス(CF、CF等)と比較し、アモルファスカーボンなどのマスク材に対して、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を高選択にエッチング可能です。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 3D-NAND用SiO₂/SiN積層膜エッチング
  • SiO₂, SiN膜の深堀エッチング
  • SiN犠牲層エッチング

CEG®︎ 39A

2nm世代以降のGAA構造に対応し、高選択比・高速加工を実現しつつ、環境負荷を大幅に低減するエッチングガスです。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 最先端デバイス用エッチング

CEG®︎ ClF3

これまでクリーニングガスに用いられてきたClF₃を、 エッチングガス向けに高純度にカスタマイズした製品です。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 最先端デバイス用エッチング

CEG®︎ IF7

シリコン酸化膜や、シリコン窒化膜に対し、シリコン膜を高選択でエッチング可能です。

純度 99.95%以上

この製品の使用例

  • ダミーゲートPoly-Si除去
  • Siハードマスク除去
  • Si犠牲層エッチング

超高純度無水弗酸 (HF)

これまでクリーニングガスに用いられてきた高純度無水弗酸(HF)を、エッチングガス向けに高純度にカスタマイズした製品です。

20%F2/ Ar

次世代の環境配慮型エッチングガスです。既存のNF3やCF系のガスと比較し環境負荷を抑えることが可能です。

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