当社は、微細化が進む先端半導体（2nm世代以降）の製造工程にて使われるエッチングガス（以下、「CEG® 39A」）を、2024年12月より当社宇部工場（山口県宇部市）にて量産体制を整え、ロジック半導体用途向けに本格販売を開始いたしました。

　先端半導体の構造は微細化がさらに進み、より複雑な3次元構造へと進化しております。当社が新規開発した「CEG® 39A」は、2nm世代以降の「Gate All Around（以下、GAA）」と呼ばれるトランジスタ構造に適応したエッチングガスであり、既存ガスの5倍以上の選択比を有していることから、加工精度制御に優れ、かつ2倍以上の加工速度を実現しております。また、地球温暖化係数（GWP）はゼロ、PFASフリーのガスであるため、環境負荷を大幅に低減することが可能となります。

　当社は、今後も半導体の微細化に伴うGAA、CFET（Complementary Field-Effect Transistor）などトランジスタ構造の変化や顧客ニーズ、環境ニーズに的確に対応した新たな開発・提案を推進し、半導体業界の技術革新に貢献するとともに、サステナブルな社会の実現を目指してまいります。

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セントラル硝子株式会社 
電子材料営業部 
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