半導体装置用エッチングガス

3Dデバイス及び最先端材料に適した、各種高選択性エッチングガスを製品化しております。

※詳細につきましては、直接お問合せください。

C3H2F4

既存エッチングガス(C4F6、C4F8等)と比較し、アモルファスシリコンなどのマスク材に対して、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を高選択にエッチング可能です。(特許取得済:特許5434970号)

純度 99.99%以上
荷姿 シリンダー(10L, 47L), 材質:マンガン鋼

この製品の使用例

  • 3D-NAND用SiO2/SiN積層膜エッチング
  • SiO2, SiN膜の深堀エッチング
  • SiN膜の選択エッチング

IF7

シリコン酸化膜や、シリコン窒化膜に対し、シリコン膜を高選択でエッチング可能です。詳細は直接お問合せ下さい。

純度 99.95%以上

この製品の使用例

  • ダミーゲートPoly-Si除去
  • Siハードマスク除去
  • Si犠牲層エッチング

EG-ClF3

これまでクリーニングガスに用いられてきたClF3を、エッチングガス向けに高純度にカスタマイズした製品です。詳細は直接お問合せ下さい。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 最先端デバイス用エッチング

XeF2

MEMS用エッチングガスとして用いられています。

室温での状態 固体
沸点[℃] 114℃
CAS No. 13709-36-9

この製品の使用例

  • MEMS用Siエッチング

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