CEG™ Series(半導体用エッチングガス)

「CEG™」とは、「Central Glassが提案する革新的な半導体用エッチングガス」の総称です。CEG™ Seriesでは、3Dデバイス及び最先端材料に適した、各種高選択性エッチングガスを多数製品化しております。

※詳細につきましては、直接お問合せください。

CEG™ ClF3

これまでクリーニングガスに用いられてきたClF3を、エッチングガス向けに高純度にカスタマイズした製品です。詳細は直接お問合せ下さい。

純度 99.99%以上

この製品の使用例

  • 最先端デバイス用エッチング

CEG™ 34E

既存エッチングガス(C4F6、C4F8等)と比較し、アモルファスカーボンなどのマスク材に対して、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を高選択にエッチング可能です。

純度 99.99%以上
荷姿 シリンダー(10L, 47L), 材質:マンガン鋼

この製品の使用例

  • 3D-NAND用SiO2/SiN積層膜エッチング
  • SiO2, SiN膜の深堀エッチング
  • SiN犠牲層エッチング

CEG™ 16N

エッチング時に添加ガスとして使用することで、既存エッチングガス(C4F6、C4F8等)と比較し、アモルファスカーボンなどのマスク材に対するシリコン酸化膜の選択性を大きく向上できます。

純度 99.99%以上
荷姿 シリンダー(10L, 47L), 材質:マンガン鋼

この製品の使用例

  • 3D-NAND用SiO2/SiN積層膜エッチング
  • SiO2膜の深堀エッチング

CEG™ 31Y

アモルファスカーボンなどのマスク材に対して、シリコン酸化膜を高選択にエッチング可能です。また、エッチング時に添加ガスして使用することで、マスク材のモフォロジーを改善することが可能です。

純度 99.99%以上
荷姿 シリンダー(10L, 47L), 材質:マンガン鋼

この製品の使用例

  • SiO2膜の深堀エッチング
  • エッチング時のマスク材のモフォロジー改善

CEG™ IF7

シリコン酸化膜や、シリコン窒化膜に対し、シリコン膜を高選択でエッチング可能です。詳細は直接お問合せ下さい。

純度 99.95%以上

この製品の使用例

  • ダミーゲートPoly-Si除去
  • Siハードマスク除去
  • Si犠牲層エッチング

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